次世代パワー半導体GaN基礎セミナー～基礎知識から評価手法まで～
GaN（窒化ガリウム）は、高速スイッチング・高効率・高耐圧などの特長を持ち、次世代パワー半導体として注目されています。活用が急速に広がっている一方で、「実際どれほどのメリットがあるのか分かりにくい」と感じている方も多く、採用を判断するための定量的な情報が求められています。
本セミナーでは、パワー半導体の基礎的な部分から、ルネサスが提供するGaN製品の特長や採用メリットまで、わかりやすく解説します。
さらに、ルネサスが提供するGaN HEMTのLTspiceシミュレーションモデルを使った評価方法をご紹介します。ハーフブリッジのダブルパルステストを通じて、さまざまな条件下でのスイッチング性能を確認できます。また、シミュレーション結果と実測データを比較できるよう、評価環境構築の取組みについても解説します。
GaN製品の選定に役立つ基礎知識が学べるセミナーとなっておりますので、ぜひご参加ください！
| 日時 |
8月7日 11:00～12:00
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|---|---|
| 会場 | オンラインセミナーでの開催 ※下記URLより事前に接続テストを実施することができます。 https://zoom.us/test |
| 定員 | なし |
| 準備 | 当日ご準備いただくもの
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| 対象 |
・GaNに興味がある方
・現在ご使用中のMOSFETやIGBTの代替としてGaNを検討されている方 |
| 費用 | 無料 |
| 主催 | 株式会社マクニカ |
アジェンダ
2.主力製品パワーMOSFET, IGBT
3.次世代パワー半導体の正体
4.ルネサスGaN製品の特徴
5.ダブルパルステストとは？
6.LTSpiceモデルの紹介
7. シミュレーションモデルの紹介
8.マクニカの取組み
9. まとめ
注意事項
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セミナーの内容については予告なく変更する場合があります。
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