GaNデバイス評価の最前線
～シミュレーション×実測で掴むスイッチング特性～
GaN（窒化ガリウム）は、高速スイッチング・高効率・高耐圧といった特長を持ち、次世代パワー半導体として注目されています。活用が急速に広がる一方で、『実際にどの程度のメリットがあるのか分かりにくい』と感じている方も多く、採用判断には定量的な評価データが求められています。
本セミナーでは、パワー半導体の基礎から、Renesasが提供するGaN製品の特長や採用メリットと、GaNの評価手法をわかりやすく解説します。
また、Renesasが提供するGaN HEMTのLTspiceシミュレーションモデルを活用した解析方法に加え、テクトロニクス社のオシロスコープや電流プローブなど最新計測機器を用いた評価手法をご紹介します。
加えて、ハーフブリッジのダブルパルステストを題材に、さまざまな条件下でのスイッチング性能をシミュレーションと実測の両面から比較・検証できる環境構築についても解説します。
GaN製品の選定に役立つ基礎知識と、実測評価に欠かせない計測ノウハウが学べる内容となっております。ぜひご参加ください！
| 日時 |
10月28日 11:00～12:00
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|---|---|
| 会場 | オンラインセミナーでの開催 ※下記URLより事前に接続テストを実施することができます。 https://zoom.us/test |
| 定員 | なし |
| 準備 | 当日ご準備いただくもの
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| 対象 |
・GaNに興味がある方
・現在ご使用中のMOSFETやIGBTの代替としてGaNを検討されている方 ・高電圧大電流機器の小型設計にお悩みの方 |
| 費用 | 無料 |
| 主催 | 株式会社マクニカ |
| 共催 | 株式会社テクトロニクス＆フルーク |
アジェンダ
GaNの市場予測と現状
なぜGaNが選ばれるか？
2. Renesas GaN製品
E-modeとは？
GaNの特性評価手法
3. GaNの評価環境
評価環境紹介
プローブ･デスキュー
GaNの測定における課題と解決手法
4. まとめ
注意事項
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